任天堂 Switch 2 可能会使用三星第五代 V-NAND，从最近的一些发现来看，这将是其前代产品的一大进步。
据 Doctre81 在 YouTube 上分享的一段新视频中报道，一位在该公司工作到 2019 年的前三星电子设备解决方案部门高级总监的 LinkedIn 页面上列出了他的主要资历和职责，其中包括领导开发用于任天堂游戏卡的 NAND 闪存控制器设备。在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡的 NAND 闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相吻合，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。
任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于新游戏机来说应该绰绰有余，比前一代产品有了很大的提升。
关于 Nintendo Switch 2，人们所知甚少，只知道它将再次采用英伟达（NVIDIA）技术。据说，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 升频和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪功能最强的游戏系统。
