三星计划将 NAND 闪存行业提升到一个新的水平，该公司披露了其第 9 代和第 10 代 V-NAND 解决方案，层数多达 430 层。
三星正在制造多达 430 层的 NAND 闪存，作为其第 10 代 V-NAND 技术的一部分，将于明年亮相。
在过去的几个季度里，由于消费者需求减弱和库存水平居高不下，NAND 闪存市场已经从严峻的经济形势中迅速复苏。不过，既然我们已经走过了这一阶段，创新层似乎已经启动，而推出相对高端 NAND 类型--第 9 代 V-NAND 闪存的不是别人，正是三星公司。这种类型的闪存层数高达 290 层，为市场树立了新的标杆。
据韩国媒体报道，三星计划在下个月发布其第 9 代 NAND 标准，很有可能接替上一代产品，后者采用了 236 层堆叠技术。由此看来，整个行业都有可能被拖入 "层堆叠" 竞赛，而到目前为止，三星似乎遥遥领先于 SK Hynix 和 Kioxia 等竞争对手。有趣的是，这家韩国巨头还宣布了一款拥有令人震惊的 430 层堆叠的 NAND 产品（第 10 代 V-NAND），预计将于明年推出。
三星最新的第 9 代 NAND 工艺的另一个令人兴奋的方面是 "双层堆叠" 技术，其重点是通过多个通道孔挤压更多的层。这种技术利用电力连接各个单元。这种钻孔技术不仅能确保更高的互连效率，而且与传统的堆叠方法相比，这种工艺的成本要低得多。
在过去的几个月里，NAND 产品的使用率急剧上升，这主要是由于人工智能推理相关产品的使用，因为它们需要大量的高速存储空间。最终，这引发了未来的巨大需求，这将催化三星等 NAND 闪存生产商在这一领域的发展。
来源：Hankyung
