三星已开始量产用于下一代大容量固态硬盘的新型 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称，其第 9 代 QLC V-NAND 结合了人工智能时代的 “多项突破性技术”，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面实现了多项改进。
继 2024 年 4 月开始生产的第 9 代 TLC V-NAND 内存之后，三星又推出了新的 1Tb 四级单元（QLC）V-NAND 芯片。三星表示，新的 QLC 芯片将 “满足人工智能时代的需求”，尤其是在企业固态硬盘市场。三星公司闪存产品与技术执行IP SungHoi Hur就该公司下一代QLC V-NAND存储芯片的推出发表了以下看法：
在 TLC 版本推出仅四个月后，QLC 第九代 V-NAND 就成功量产，这使我们能够提供全系列的先进固态硬盘解决方案，满足人工智能时代的需求。随着企业级固态硬盘市场的快速增长，人工智能应用的需求日益强劲，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固我们在该细分市场的领导地位。
得益于三星的沟道孔蚀刻技术，第 9 代四级单元的密度比上一代 QLC V-NAND 芯片高出 86%。三星还优化了各层单元特性，使数据保留性能提高了约 20%。最后，由于采用了预测和控制存储单元状态的预测程序技术，芯片的输入/输出速度提高了约 60%。
至于功耗这一移动设备的关键特性，三星称，由于采用了低功耗设计并降低了电压要求，读写能耗分别降低了 30% 和 50%。
虽然最初的重点是企业市场，但三星也计划将第 9 代 QLC V-NAND 内存芯片的应用扩展到消费类产品，如现代智能手机的大容量固态硬盘和 UFS（通用闪存）。
